11:30 〜 11:45 [19a-Z25-8] ゲートリセス構造GaN HEMT を用いたゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性 〇高橋 英匡1、安藤 裕二1、生島 百恵3、分島 彰男3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)