16:00 〜 16:15 [16p-Z10-10] Si マッハ・ツェンダ変調器とInGaAsP DFB レーザのSi 基板上集積 〇相原 卓磨1、開 達郎1、藤井 拓郎1、武田 浩司1、土澤 泰1、硴塚 孝明1、福田 浩1、松尾 慎治1 (1.NTT)