[16a-Z16-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[16a-Z16-2] 金属/GaN界面におけるフェルミレベルピンニング

〇古塲 治朗^1,2、矢作 政隆^1,2、小池 淳一¹ (1.東北大学、2.JX金属)

キーワード：窒化ガリウム、フェルミレベルピンニング

金属/半導体界面に形成されるショットキー障壁高さΦ_Bは、理想的にはΦ_B=Φ_M-χ (Φ_M:金属の仕事関数,χ:半導体の電子親和力)で表されるが、実際にはフェルミレベルピンニング(FLP)が生じ金属の仕事関数依存性が消失することがよく知られている。FLPはSiやGe[1]に関しては数多くの研究結果が報告されているが、次世代半導体材料として有望なGaNにおいては系統的に調べられてはいない。本発表では、さまざまな金属とGaNの間に生じるショットキー障壁高さを測定し、FLPについて調べたので報告する。