[16a-Z26-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

△ [16a-Z26-2] シリコンGAAナノワイヤMOSFETの低温サブスレッショルド特性

〇関口 翔平¹、安 珉柱¹、更屋 拓哉¹、小林 正治¹、平本 俊郎¹ (1.東大生研)

キーワード：サブスレッショルドスイング、ゲートオールアラウンド、ボディファクタ

低温においてボディファクタγがサブスレッショルドスイング(SS)に与える影響を調べるために，室温でSSが60 mV/decとなるγ=0のシリコンゲートオールアラウンドナノワイヤMOSFETを作製し，SSの温度依存性を測定した．γ=0の理想的なMOSFETでも，極低温ではSSが温度に比例せずに飽和することを実験的に確認した．