高光閉じ込め構造によるAlGaN系UV-B LDにおける低閾値化

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15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-Z27-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

2021年3月16日(火) 13:00 〜 17:15 Z27 (Z27)

13:45 〜 14:00

〇(M1)大森智也¹、田中隼也¹、荻野雄矢¹、山田和輝¹、手良村昌平¹、佐藤恒輔^1,2、岩山章^1,3、岩谷素顕¹、竹内哲也¹、上山智¹、赤﨑勇^1,4、三宅秀人³ (1.名城大、2.旭化成、3.三重大、4.名大・赤﨑記念研究センター)

キーワード：半導体、UV-B、AlGaN