[16p-Z27-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-Z27-6] マクロステップを有するAlGaNに形成される離散的AlNモル分率（1）

〇平野 光¹、長澤 陽祐¹、一本松 正道¹、迫 秀樹²、橋本 愛²、杉江 隆一²、本田 善央³、天野 浩³、赤崎 勇⁴、小島 一信⁵、秩父 重英⁵ (1.創光科学（株）、2.東ﾚﾘｻｰﾁｾﾝﾀ、3.名大IMaSS、4.名城大理工、5.東北大IMRAM)

キーワード：AlGaN、DUV、LED

マクロステップを有するAlN上に成長したn-AlGaN内部には，マクロステップを起点とするGaNモル分率の高い領域（幅20 nmの電流パス）が形成される．この構造により，量子井戸の内部量子効率の高い部位に選択的に電子を注入して，AlGaN DUV-LEDは高い変換効率が得られる．微細電流パスのAlGaN組成を，高解像(~3 nm)・高精度で分析する手法を開発した．