[17a-Z03-1~10] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [17a-Z03-2] 顕微フォトリフレクタンス分光法によるシリコン深掘り孔底面および側壁のプラズマ誘起欠陥層解析

〇濱野 誉^1,2、占部 継一郎¹、江利口 浩二¹ (1.京大院工、2.学振特別研究員DC)

キーワード：プラズマ誘起欠陥、シリコン深掘り孔、側壁

近年デバイス構造の3次元立体化に伴い，複雑な3次元構造作製過程におけるプラズマ誘起欠陥形成が懸念されている．計算科学により3次元特有の欠陥形成機構が予測される一方，構造体内部に対してブランケット領域と同様の分析，解析手法を適用することは難しい．本研究では非接触，高感度な光学的欠陥解析手法である顕微フォトリフレクタンス分光法を用いて，シリコン深掘り孔底面および側壁表面のプラズマ誘起欠陥層を解析した．