[17a-Z20-1~8] 11.1 基礎物性

△ [17a-Z20-7] 高温超伝導体－強磁性体二層膜におけるテラヘルツ時間領域分光法による複素伝導率解析

〇(M1)中村 公大¹、末木 聖大¹、Juliette Mangeney²、Jerome Tignon²、Sukhdeep Dhillon²、小森 祥央³、J.W.A. Robinson³、掛谷 一弘¹ (1.京大院工、2.パリ高等師範学校、3.ケンブリッジ大学)

キーワード：超伝導体、テラヘルツ時間領域分光法

超伝導体‐強磁性体(S/F)界面の近接効果によって、強磁性層から超伝導層に交換磁場が侵入し、超伝導層内に局所的にスピン分裂が発生する[1]。この現象はs波超伝導体‐強磁性絶縁体において精力的に研究が行われてきた。一方、d波超伝導体‐強磁性絶縁体においては十分になされていない。今回我々は、パルスレーザー蒸着法によりLSAT基板上にYBCOおよびPCMOエピタキシャル膜を育成した試料について、テラヘルツ時間領域分光法(THz-TDS)による面内複素伝導率の測定を行った。YBCO単層膜およびPCMOの厚さの異なる2層膜試料との結果を比較し、複素導電率について議論する。