[17a-Z21-1~6] 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

[17a-Z21-1] REBCO-CCに用いるLaNiO₃導電性中間層の作製と抵抗率評価

〇舩木 修平¹、長瀬 侑弥¹、山田 容士¹、土井 俊哉² (1.島根大自然、2.京大院エネ科)

キーワード：LaNiO3、導電性中間層、REBCO-CC

これまで我々は，スパッタリング法を用いて配向したLaNiO₃ (LNO)薄膜が得られることを報告してきた．本研究では，酸化性雰囲気でアニールしたLNO薄膜及び，実際にREBCO層を形成した下層のLNOの抵抗率の変化を調査した．結果として，YBCO直下のLNO膜の抵抗率は6×10^–3 Ω cmと低く，LNOは上層にREBCO層を形成しても低い抵抗率を示す有望な導電性中間層であると期待される．