[17a-Z21-1~6] 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

[17a-Z21-4] 低エネルギーAuイオン照射GdBa₂Cu₃O_y線材におけるJ_cの磁場角度依存性

〇尾崎 壽紀¹、柏原 卓弥¹、岡田 達典²、淡路 智²、掛谷 一弘³、千星 聡²、岡崎 宏之⁴、越川 博⁴、山本 春也⁴、八巻 徹也⁴、末吉 哲郎⁵、坂根 仁⁶ (1.関学大理工、2.東北大金研、3.京大工、4.量研機構、5.熊大工、6.住重アテックス(株))

キーワード：超伝導体、イオン照射、臨界電流密度