[17a-Z24-1~9] 12.3 機能材料・萌芽的デバイス

[17a-Z24-2] 電極電位評価に基づくIL-CBRAM のFading特性制御

〇佐藤 暖¹、佐藤 洋士^1,2、松尾 拓真¹、本間 祐晟²、島 久²、内藤 泰久²、秋永 広幸²、伊藤 敏幸³、木下 健太郎¹ (1.東理大理、2.産総研、3.豊田理研)

キーワード：イオン液体、AI、CBRAM

IL-CBRAMは導電性ブリッジメモリにイオン液体(IL)を添加した, 固液融合デバイスである. 構造, 材料の選択性が高く, 電気特性制御に優位性があることから, 抵抗緩和現象(Fading)を利用したAIデバイスへの応用可能性が見出されている. これまでに密着層にTaを用いることで抵抗保持時間が向上することを報告した. 今回IL中における金属の電極電位を明らかにし, この現象がガルバニック腐食によるフィラメント溶出に起因することを示した.