[17a-Z32-1~7] 15.1 バルク結晶成長

[17a-Z32-6] ScAlMgO₄単結晶の成長条件と欠陥について

〇白石 裕児¹、南都 十輝¹、福田 承生¹、藤井 高志^1,2、杉山 和正³、石地 耕太郎⁴、稲葉 克彦⁵ (1.㈱福田結晶研、2.立命館大、3.東北大金研、4.九州シンクロトロン光研究センター、5.㈱リガク)

キーワード：ScAlMgO4、結晶育成、CZ法

ScAlMgO₄単結晶については、3″φ結晶作成、2″φ無転位結晶、結晶特性等を報告してきた。ScAlMgO₄基板を使ったGaN LED、InGaN LED、GaN自立基板も発表されるようになり、マイクロLED、LD、パワーデバイス分野で注目されつつある。ここではScAlMgO₄単結晶成長中に発生する結晶欠陥ついて発表する。