[17p-P06-1~11] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[17p-P06-2] β-Ga₂O₃(-201)表面におけるNiOエピタキシャル成長初期過程のSPM観察

〇(B)關 裕介¹、岡田 有史¹、梶田 優気¹、西中 浩之¹、Ferreyra Romualdo A.²、上田 大助³、角野 広平¹ (1.京工繊大、2.San Martín大、3.名大低温プラズマ科学研究センター)

キーワード：酸化ガリウム、走査プローブ顕微鏡、表面モルフォロジー

β-Ga₂O₃(-201)面の上にNiOを成長させ，主に走査プローブ顕微鏡（SPM）を用いた成長膜のモルフォロジー観察と物性測定を行った。大気中でアニールした試料表面にはステップとテラスが見られた。ミストCVD法によりNiOを成長させると、表面は面内のサイズが10 nmのアイランドで覆われた。アイランドのサイズはNiO(111)とβ-Ga₂O₃(-201)の格子ミスフィットに起因すると考えられる。