[17p-Z02-1~7] 相変化メモリ材料の進展と将来展望

[17p-Z02-5] GST 相変化材料の電気的、光学的性質：解釈をめぐる問題点

〇嶋川 晃一¹ (1.岐阜大工)

キーワード：相変化材料、光学的性質、電気的性質

カルコゲン元素を含む3元系Ge-Sb-Te (GST)などの相変化材料はアモルファス―結晶相の転移に伴って光学反射率、電気伝導度は大きく変化する。光学反射率はその光学波長領域での複素誘電率、電気伝導度はその伝導形態（非金属、あるいは金属的）で決定される。GSTにおいて上記二つの現象をめぐり明らかにしておかねばならない論点を紹介し、現状をまとめることを本講演の中心にする。