[17p-Z19-8~24] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

[17p-Z19-21] 磁気トンネル接合のフラッシュランプアニーリング

〇今井 亜希子¹、太田 進也^1,2、長谷川 顕登^1,2、金井 康¹、小山 知弘^1,3、荒木 徹平¹、関谷 毅¹、千葉 大地^1,3 (1.阪大産研、2.東大物工、3.阪大CSRN)

キーワード：磁気トンネル接合、フラッシュランプアニーリング、トンネル磁気抵抗効果

スパッタ製膜されたCoFeB/MgO系磁気トンネル接合(MTJ)は、高いトンネル磁気抵抗(TMR)比を得るために熱処理が不可欠である。一般的には、熱処理炉内で400℃以上かつ1時間を超える熱処理が行われる。本研究では、フラッシュ・ランプ・アニーリング(FLA)を用いることで、照射時間トータル1.65s、正味3.3msという短時間で100%に迫るTMR比を得た。