[17p-Z23-1~17] 12.2 評価・基礎物性

[17p-Z23-11] 分子トランジスタに向けたボトムラインゲートナノギャップ電極

〇猪ヶ倉 大晟¹、西之坊 拓海¹、ファン チョン トゥエ¹、真島 豊¹ (1.東工大フロンティア研)

キーワード：分子トランジスタ、ボトムラインゲート、High-k

単分子トランジスタ（Single-molecule transistor: SMT）は、次世代トランジスタとして期待されているが、数nmの分子のゲート変調を可能とする、安定なナノギャップ電極を作製することが困難であるため、安定に動作するSMTに関する報告例は少ない。本研究は、SMT動作に必要な条件である大きなゲート容量(C_g)の実現を目的としている。High-k誘電体であるHfO₂をゲート絶縁薄膜として用いたボトムラインゲートナノギャップ電極と、この構造を用いたSMTの特性を報告する。