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[17p-Z28-11] InAs/GaAs 近接三重層量子ドットレーザの作製と評価
キーワード:近接三重層量子ドット、分子線エピタキシー、量子ドットレーザ
量子ドットレーザの長波長化に向けて、メタモルフィック層による基板の結晶格子定数の制御の他、量子ドットの近接積層化などの新構造の導入も検討されている。我々は、更なる長波長化を目指して近接多重層量子ドットを提案し、実際に近接三重層量子ドットにおいて PL 波長が長波長にシフトすることを確認した。今回、この InAs/GaAs 近接三重層量子ドットを活性層とするレーザを作製し、E バンドでの室温連続発振を実現したので報告する。