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[17p-Z28-4] InGaAs/GaAsP多重量子井戸の発光に対するGaAs中間層膜厚の影響
キーワード:量子井戸、ヘテロ界面、フォトルミネッセンス
InGaAs/GaAsP歪み補償多重量子井戸の結晶成長において、欠陥が導入されやすい圧縮/伸長歪み層の界面処理が、発光効率の向上には重要である。無歪みのGaAs中間層の挿入が効果的とされているが、中間層の厚みがMQW内の発光再結合効率に与える影響は明らかではない。本研究では、InGaAs井戸層の上または下に中間層を挿入し、その厚みを変えInGaAs/GaAsPのMQW10層を有機金属結晶成長法により作製し、発光強度を評価した。