15:30 〜 15:45
[17p-Z28-6] GaAs基板上InAs成長層の表面ラフネスへのZnドープの影響調査
キーワード:MOVPE、中赤外
MOVPE法でGaAs基板上にInAs層を成長する際にDEZnを流すことによる平坦性向上効果を調べた。500℃成長において,Zn流量の増加とともに平坦性が向上した。また膜厚が厚いほどその効果は顕著に現れた。
一般セッション(口頭講演)
15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎
15:30 〜 15:45
キーワード:MOVPE、中赤外