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[17p-Z32-3] 熱伝導率が異なる複数の断熱材を用いたTSSG法によるSiC結晶成長時の熱輸送の制御
キーワード:TSSG、SiC、ベイズ最適化
SiC結晶成長のためのTSSG法では均一で高い結晶成長速度を達成するために、溶液内部の温度分布を制御する必要がある。本研究では、異なる熱伝導率を有する複数の断熱材を用いて、それらの熱伝導率を最適化することで、溶液内温度分布の制御に取り組んだ。その結果、適切な断熱材配置により溶液内温度分布が制御され、結晶成長速度の改善につながることが示された。