[17p-Z35-1~12] 13.9 化合物太陽電池

[17p-Z35-9] ファインチャネルミストCVD 法によるMo コート基板上へのCu-Sn プリカーサの堆積とCu2SnS3 薄膜の作製

〇友野 巧也¹、吉久 史貴¹、岡村 和哉¹、田中 久仁彦¹ (1.長岡技科大)

キーワード：Cu2SnS3、薄膜太陽電池、ミストCVD

これまで本研究室ではファインチャネルミストCVD 法を用いて，Mo コート基板上にCTS 薄膜の堆積を行ってきた。しかし，Mo コート基板上にCu-Sn（CT）プリカーサを堆積させるとMoごとCT プリカーサが剥離する現象が確認されていた。その原因として，Mo と プリカーサとの熱膨張係数の違いが考えられる。そこで本研究では，Mo 表面の熱膨張係数をプリカーサに近づけることによってMo コート基板にミストCVD 法でCT プリカーサを堆積することを試みた。