[18a-Z05-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [18a-Z05-11] 4H-SiCショットキーpnダイオードの高耐圧化

〇(B)北村 雄大¹、亀和田 亮¹、児島 一聡²、岩室 憲幸¹、矢野 裕司¹ (1.筑波大、2.産総研)

キーワード：半導体、ショットキーpnダイオード

ショットキー接合と片側pn接合に挟まれた低濃度p層が双方の空乏層により完全空乏化する構造を有するSiCショットキーpnダイオード：SPNDは、パワーデバイスの導通損失ースイッチング損失間トレードオフ特性の向上ができると期待されている。しかしながら現状のSPNDは耐圧が300Vと低い。よって、本研究ではSPNDの高耐圧化を目的として耐圧600Vの素子を設計・作製を行い、SPNDの高耐圧化を達成した。