[18a-Z05-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [18a-Z05-3] 放射光トポグラフィーによるSiC中の基底面転位の深さ評価

〇藤榮 文博¹、Hongyu Peng²、Tuerxun Ailihumaer²、Balaji Raghothamachar²、Michael Dudley²、原田 俊太¹、田川 美穂¹、宇治原 徹^1,3 (1.名大、2.ストーニーブルック大、3.産総研GaN-OIL)

キーワード：放射光トポグラフィー、炭化ケイ素、基底面転位

SiCの放射光トポグラフィー像における基底面転位(BPD)のコントラストについて実験およびシミュレーションにより調べ，BPDの結晶表面からの深さ変化に伴うコントラストの変化の機構を明らかにした．またシミュレーション像との比較によりらせんBPDの深さ評価が可能であることが示唆された．BPDの表面からの深さは積層欠陥の拡大開始電流密度と相関するため，深さの評価は積層欠陥の拡大を抑制するための有用な知見を与えると考えられる．