[18a-Z15-1~10] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [18a-Z15-8] DLTS法によるn型GaN中の深い準位評価に対してショットキー障壁高さが与える影響の定量的解析

〇青島 慶人¹、堀田 昌宏^1,2、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：DLTS法、ショットキーバリアダイオード、ショットキー障壁高さ

DLTS法は、半導体結晶中のトラップを調べるために用いられる一般的な手法の一つであるが、ショットキーバリアダイオード(SBD)を用いたトラップ評価には注意が必要となる。SBDのショットキー障壁高さは、DLTS法によるトラップの見かけの放出時定数および密度評価に対して影響を与えるといわれている。本研究では、DLTS法によるGaN中のトラップ評価に対して、ショットキー障壁高さが与える影響を定量的に評価、解析した。