[18a-Z24-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[18a-Z24-1] Si基板上格子整合系GaAsPN太陽電池の作製(2)

〇新井 智也¹、山根 啓輔¹、江湖 俊仁¹、濱本 大輝¹、若原 昭浩¹ (1.豊橋技術科学大学)

キーワード：化合物太陽電池、希薄窒化物

成長条件を見直してGaAsPN太陽電池テスト素子を作製し、そのデバイスシミュレーションを通して高効率化指針を得られたため報告する。結晶成長にはMBE法を用い、N組成5%の試料を作製した。結果として効率は3.0%という値が得られた。作製した試料と先行研究のGaAsPN単層膜の実測データを用いシミュレーションを行い、更なる高効率化には吸収層の膜厚およびキャリア濃度、トラップ密度の最適化が重要であることが明らかとなった。結論として、条件を見直したSi格子整合系GaAsPN太陽電池テスト素子においてより高い効率が得られ、高効率化の指針を得ることが出来た。