[18a-Z24-1~9] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

△ [18a-Z24-2] ALE法で意図的にN分布を変化させたGaAsN薄膜のアニール処理によるN分布と電気特性への影響

〇中島 凌¹、河野 将大¹、峰松 遼¹、原口 智宏¹、鈴木 秀俊¹ (1.宮崎大学工)

キーワード：GaAsN、原子層エピタキシー法、ホール効果