[18a-Z33-1~9] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18a-Z33-1] 酸素負イオン照射によるSn添加In₂O₃薄膜の非縮退化

〇古林 寛¹、前原 誠²、酒見 俊之²、北見 尚久^1,2、山本 哲也¹ (1.高知工科大、2.住友重機械)

キーワード：酸化インジウム、酸素負イオン照射、光学特性

錫添加In₂O₃ (以下、ITOと略記) は高い透明性と電気伝導性を有し、透明導電膜として最も広く用いられている。我々は、酸素負イオン (O⁻) 照射により、ITOにおけるキャリア濃度の下限が非縮退領域にまで及び、電気・光学特性共に未処理ITOとは全く異なる特性を示すことが確認された。