[18p-P03-1~4] 3.11 フォトニック構造・現象

[18p-P03-4] CMOS互換プロセスで作製したナノ共振器シリコンラマンレーザの高温特性評価

〇岡田 康孝¹、藤本 正直¹、太田 雄士¹、岡野 誠²、高橋 和¹ (1.大阪府立大学、2.産業技術総合研究所)

キーワード：シリコンラマンレーザ

我々は高Q値ナノ共振器を用いたシリコンラマンレーザを開発してきた,このレーザは超小型サイズを持ち，超低閾値で室温連続発振する．我々はレーザをCMOS互換プロセスを用いて，300 mmシリコン基板上に作製することを実証した．今後，異分野研究での利用を促進していく予定である．そのためには，レーザが室温より高い温度においても動作することが望ましい．このレーザの発振性能を，室温から60 ℃の範囲で測定したので報告する．