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△ [18p-Z05-11] 界面欠陥のキャリア捕獲・放出過程を考慮したSiC MOSFETの3レベルチャージポンピング特性解析
キーワード:チャージポンピング法、SiC、MOS界面
MOSFETを用いた界面評価法にチャージポンピング法がある。その応用である3レベルチャージポンピング(3L-CP)法ではゲートパルスを3値とすることで、通常の2値のCP法より界面準位に関する多くの情報が得られる。以前、SiC MOSFETではSi MOSFETでは見られない特異な3L-CP特性が確認され、界面近傍酸化膜欠陥による影響であるという報告をした。今回、界面欠陥へのキャリアの捕獲・放出についてSRH統計に基づいた数式に立ち返り、SiC MOSFETの特異な3L-CP特性の解析を試みた。