講演情報

Tweet

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[18p-Z15-1~15] 6.4 薄膜新材料

2021年3月18日(木) 13:30 〜 17:30 Z15 (Z15)

土屋哲男(産総研)、西川博昭(近畿大)

17:00 〜 17:15

△ [18p-Z15-14] 多層膜固相エピタキシー法による高移動度半導体La₂O₂Bi薄膜の合成

〇山本裕貴¹、河底秀幸¹、福村知昭^1,2 (1.東北大理、2.東北大WPI-AIMR & CRC, CSIS, CSRN)

キーワード：La2O2Bi、高移動度半導体、多層膜固相エピタキシー