[18p-Z24-1~14] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

△ [18p-Z24-1] ラマン分光法およびPL法を用いたSiトレンチ加工による結晶欠陥評価

〇小原田 賢聖¹、佐竹 雄太¹、吉際 潤²、嵯峨 幸一郎²、岩元 勇人²、門 龍翔¹、澤本 直美^1,3、横川 凌^1,3、小椋 厚志^1,3 (1.明治大理工、2.ソニーセミコンダクタソリューションズ(株)、3.再生可能エネルギー研究インスティテュート)

キーワード：ラマン分光法、PL法

FinFETの形成工程において、Siをトレンチ状に加工するが、トレンチ側壁にはゲート絶縁膜を形成するため、Siの側壁の加工ダメージの低減が必要とされている。また、トレンチ加工プロセスによって生じる欠陥を検出し、定量的に評価する手法の確立が求められている。そこで本研究では、Siトレンチ構造に対し、高空間分解能を有するラマン分光法およびフォトルミネッセンス(PL)法を用いてSi結晶の欠陥評価を試みた。