[18p-Z31-1~19] 17.3 層状物質

[18p-Z31-16] 単層二硫化タングステンの発光特性向上を指向した超酸分子処理法の検討

〇中原 隆宏¹、山田 悠貴¹、芦田 淳¹、吉村 武¹、藤村 紀文¹、桐谷 乃輔¹ (1.大阪府立大学)

キーワード：遷移金属カルコゲナイド、二硫化タングステン

遷移金属カルコゲナイドは、3原子層(0.7 nm厚)で構成される直接遷移型の半導体材料として関心が集まっている。単層の二硫化モリブデン(MoS₂)において超酸分子処理を施すことで、フォトルミネッセンス(PL)強度の大幅な上昇を確認し、さらにUV光照射による高い歩留まりでの高発光特性を発現に成功をしている。本発表では、同様の構造を持つ二硫化タングステン(WS₂)に対し、同様の処理を行い、WS₂を高発光化させるための手法の検討を行った。