[18p-Z33-1~17] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[18p-Z33-6] 高温スパッタリングにより成膜したMgZnO透明電極材料の電気的及び光学的特性

〇(M1)松原 太一¹、久志本 真希¹、渡邊 浩崇²、古澤 優太²、新田 州吾²、本田 善央^2,3,4、天野 浩^2,3,5 (1.名大院工、2.名大未来材料・システム研究所、3.名大VBL、4.名大高等研究院、5.名大赤崎記念研究センター)

キーワード：紫外発光ダイオード、透明電極、スパッタリング法

AlGaN系深紫外線発光ダイオードは，光取り出し効率(LEE)が非常に低いため高出力化が困難である．LEEの改善には，透明電極が有用であるが従来のITOは紫外光に対して不透明である．そこで，深紫外光が透過可能な酸化物材料MgZnOに着目した．
本報告では，低い抵抗値を維持したまま，MgZnOの深紫外領域における透過率向上を目的とし，成膜時の基板温度について検討を行った．