[19a-Z06-1~9] 3.6 超高速・高強度レーザー

[19a-Z06-8] イオン照射形成欠陥によるコヒーレントフォノン励起・緩和過程への効果

〇(M2)市川 卓人¹、齊藤 雄太²、長谷 宗明¹ (1.筑波大数理物質、2.産総研デバイス技術)

キーワード：コヒーレントフォノン、リン化ガリウム(GaP)、集束イオンビーム

フェムト秒レーザーパルスを固体に照射すると，位相が揃った格子振動（コヒーレントフォノン: CP）が励起でき，物性マーカーとして多様な系への展開が進められている．我々は，半導体GaPへの集束イオンビーム(FIB)照射によりCPの緩和時間が延伸することを発見した．その結果はFIB照射により形成された点欠陥によるCPの散乱だけでなく，欠陥準位を介した励起過程も考慮することで説明され得ることを見出したので本講演で報告する．