[19a-Z25-1~8] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19a-Z25-4] AlGaN/GaN HEMTデバイスにおける局所圧電格子変形の放射光ナノビームX線回折オペランド計測

〇塩見 春奈¹、嶋田 章宏¹、藤平 哲也¹、林 侑介¹、金木 奨太²、橋詰 保²、今井 康彦³、隅谷 和嗣³、木村 滋³、酒井 朗¹ (1.阪大院基礎工、2.北大量エレ研、3.JASRI)

キーワード：ナノビームX線回折、圧電応答、窒化物半導体