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[19a-Z25-6] Xバンド帯におけるGaN IMPATTダイオードの動作実証
キーワード:窒化ガリウム、インパットダイオード、アバランシェ降伏
GaN IMPATT ダイオードはその高い絶縁破壊電界と高い電子飽和速度から、THz領域までに及ぶ,高出力高周波発振器として期待されている。しかし、これまでその実験的な報告はほとんどなかった。これまで我々は、理想的なアバランシェ降伏を示すGaN縦型p-nダイオードを報告してきた。そこで本研究ではXバンド帯におけるGaN p-nダイオードのIMPATT動作について検討を行った。その結果9.52 GHzでのパルス発振が得られ、その出力は最大で14.45 mWであった。