[19a-Z25-1~8] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19a-Z25-8] ゲートリセス構造GaN HEMT を用いたゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性

〇高橋 英匡¹、安藤 裕二¹、生島 百恵³、分島 彰男³、須田 淳^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.名工大)

キーワード：窒化ガリウム、HEMT

レクテナの大電力高効率化に向けノーマリオフ型GaN HEMTを用いたゲーテッドアノード型ダイオード（GAD）を開発中である。埋め込みゲートリセス構造のGaN GADを作製し、電気的特性を調べた結果、４W/mmクラスの整流動作ができることを確認した。またワイドリセス構造に比較してI_fおよびBV_rが大きく改善することを示した。