[19a-Z27-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [19a-Z27-1] 低温バッファ層上高温AlN初期成長

〇青野 零弥¹、津田 翔太¹、揚田 侑哉¹、宮川 拓己¹、平山 秀樹^2,3、高島 祐介¹、直井 美貴^1,2、永松 謙太郎^1,2 (1.徳大理工、2.徳大pLED研、3.理研)

キーワード：MOVPE、AlN、初期成長

低転位AlN結晶には、低温バッファ層を含めた初期成長が重要である。GaNでは低温バッファ層を用いることで、昇温時に二次元成長核が形成され、初期成長段階から平坦層となる。一方で、AlNではGaNより成長温度が高い。しかし、従来行われてきたAlNの成長温度は低いため同様の初期成長は難しい。本研究では、JETフロー型MOVPE(有機金属気相成長)装置を用いて、1700℃においてAlN初期成長を検討した。