[19a-Z31-1~11] 17.3 層状物質

[19a-Z31-5] WTe₂薄膜デバイスにおける電極形成手法の検討

〇細田 雅之^1,2、ディーコン ラッセル¹、山口 智弘¹、岡崎 尚太³、笹川 崇男³、谷口 尚⁴、渡邊 賢司⁴、河口 研一²、土肥 義康²、佐藤 信太郎²、石橋 幸治¹ (1.理研、2.富士通研、3.東工大、4.物材研)

キーワード：WTe2、二次元物質、遷移金属カルコゲナイド

遷移金属ダイカルコゲナイドWTe₂は、トポロジカルな2次元材料として注目されているが、現在までデバイスの試作報告例は数が限られている。今回、WTe₂薄膜に対して異なる電極形成プロセスを適用し、それらプロセスと電気特性の関係について検討を行ったので報告する。