[19a-Z33-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19a-Z33-3] カソードルミネッセンス法を用いた m 面サファイア基上 Sn-doped α-Ga₂O₃ の深い準位の解析Ⅱ

〇守屋 亮¹、城川 潤二郎¹、高橋 勲²、四戸 孝²、肖 世玉³、三宅 秀人³、荒木 努¹ (1.立命館大、2.FLOSFIA、3.三重大)

キーワード：酸化ガリウム、深い準位、カソードルミネッセン

α-Ga₂O₃ はパワーデバイスへの応用が期待されている新しいワイドギャップ半導体である。前回、我々はカソードルミネッセンス(CL)法を用いて Sn-doped m 面 α-Ga2O₃ は 2.8 eV の青色発光帯(BL)と 3.7 eV の紫外線発光帯(UVL)の2つの発光帯を有することを示し、Sn 濃度と Debye 長の関係から UVL は自己束縛励起子(STH)による励起子発光(STE)であると示唆されると報告した。今回は CL スペクトルの温度依存性や加速電圧変化から BL と UVL の起源を推定したので報告する。