[19a-Z33-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19a-Z33-8] 高感度エミッション顕微鏡によるHVPE(001)beta型酸化ガリウムSBDのリーク電流の起源の同定―微粒子による積層欠陥

〇嘉数 誠¹、スダーン セイリープ¹、佐々木 公平²、桝谷 聡士²、川崎 克己³、平林 潤³、倉又 朗人² (1.佐賀大院工、2.ノベルクリスタルテクノロジー、3.TDK（株）)

キーワード：酸化ガリウム、ショットキーバリアダイオード、エミッション顕微鏡

beta型酸化ガリウムの高効率大電力パワーデバイスを目指した研究が急速に進んでおり、リーク電流、耐圧の低下を起こすキラー欠陥の同定が急がれている。我々は高感度エミッション顕微鏡でHVPEエピ膜中のキラー欠陥として、微粒子から発生する積層欠陥を同定したので報告する。