[19p-P01-1~23] 17 ナノカーボン(ポスター)

[19p-P01-22] ポストドーピングによる遷移金属カルコゲナイド原子層のp/n型制御

〇(M2)村井 雄也¹、劉 崢²、入沢 寿史²、遠藤 尚彦³、宮田 耕充³、吉田 昭二⁴、岡田 晋⁴、北浦 良¹ (1.名大理、2.産総研、3.都立大理、4.筑波大数理)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、半導体、ドーピング

本研究の目的は、原子層特に遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)原子層への高精度なドーパント導入法の確立とそれを用いたpおよびn型制御である。本研究ではTMD原子層へ適用可能な制御性の高いドーピング法として低エネルギー原子ビーム照射に着目した。NbおよびReビームをTMD原子層(MoSe₂およびWSe₂)へ照射することで、均一なドーピングが可能であることを確認した。発表では詳細なドーピングの評価およびデバイス測定の結果も議論する。