[19p-P01-1~23] 17 Nanocarbon Technology(Poster)

[19p-P01-7] Improvement in the quality of WS₂ thin films grown by MBE using liquid precursors by annealing in sulfur atmosphere

〇(M2)Takamichi Inoue¹, Keiji Ueno¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:Transition metal dichalcogenide, Tungsten(IV) sulfide, Molecular Beam Epitaxy

層状6族TMDCの多くはバンドギャップを持つため、半導体素子への応用が注目されている。TMDC薄膜の合成法には様々な方法があるが、低温で、表面構造の直接観察をすることは困難である。本研究では液体前駆体を用い、二硫化タングステン(WS₂)薄膜のMBE成長を行った。成長した膜に気化させた硫黄前駆体を更に供給することで、膜質が改善できることが確認できた。