2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.11 フォトニック構造・現象

[19p-Z10-1~15] 3.11 フォトニック構造・現象

2021年3月19日(金) 13:15 〜 17:30 Z10 (Z10)

石崎 賢司(京大)、滝口 雅人(NTT物性基礎研)

16:45 〜 17:00

[19p-Z10-13] CMOS 互換プロセスで作製したシリコンラマンレーザの低閾値化

〇(B)太田 雄士1、岡野 誠2、高橋 和1 (1.大阪府大院工、2.産総研)

キーワード:シリコンラマンレーザ

従来,高Q値ナノ共振器を用いたシリコンラマンレーザは電子線描画法(EB)を用いて作製していた.近年,我々はフォトリソグラフィとCMOS互換プロセスを用いた作製を実証した.しかし,その作製歩留まりは低く,閾値も従来研究より数倍高かった.性能低下の主因は,共振モードのQ値の低下である.今回,Q値を改善する熱処理に改善を加えて,CMOS互換プロセスを用いたシリコンラマンレーザの低閾値化と作製歩留まり向上を達成したので報告する.