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[19p-Z10-13] CMOS 互換プロセスで作製したシリコンラマンレーザの低閾値化
キーワード:シリコンラマンレーザ
従来,高Q値ナノ共振器を用いたシリコンラマンレーザは電子線描画法(EB)を用いて作製していた.近年,我々はフォトリソグラフィとCMOS互換プロセスを用いた作製を実証した.しかし,その作製歩留まりは低く,閾値も従来研究より数倍高かった.性能低下の主因は,共振モードのQ値の低下である.今回,Q値を改善する熱処理に改善を加えて,CMOS互換プロセスを用いたシリコンラマンレーザの低閾値化と作製歩留まり向上を達成したので報告する.