2021年第68回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[19p-Z13-1~14] 6.1 強誘電体薄膜

2021年3月19日(金) 13:30 〜 17:15 Z13 (Z13)

小林 健(産総研)、中嶋 誠二(兵庫県立大)

13:30 〜 13:45

[19p-Z13-1] エピタキシャル(Al1-xScx)N膜の作製と強誘電性評価

安岡 慎之介1、清水 荘雄2、舟窪 浩1 (1.東工大物院、2.物材研)

キーワード:強誘電体、窒化物、薄膜

我々は、一軸配向した(Al1-xScx)N膜の製膜条件による強誘電性の変化を報告した。しかしながら、一軸配向膜と比較して、膜厚方向の結晶均質性が高く、基本的な評価に有利であるエピタキシャル膜の強誘電性に関する報告例はこれまでにない。本研究では、スパッタリング法によりAl2O3基板上にエピタキシャル成長した(Al1-xScx)N膜を作製し、強誘電性の評価を行ったので報告する。