[19p-Z25-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-Z25-1] 高抵抗GaN基板上GaNチャネルHEMTの電気特性

〇星 拓也¹、吉屋 佑樹¹、杉山 弘樹¹、松崎 秀昭¹ (1.NTT先端集積デバイス研)

キーワード：高抵抗GaN基板、GaNチャネルHEMT