[19p-Z29-1~13] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[19p-Z29-1] 中間バンド型GaPN混晶のキャリア再結合過程の光学的評価：窒素濃度1.4%と3.2%の比較

〇岩井 広樹¹、フェルドス サンジーダ¹、鎌田 憲彦¹、八木 修平¹、矢口 裕之¹ (1.埼玉大院理工)

キーワード：GaPN混晶、欠陥準位、二波長励起フォトルミネッセンス

GaPN混晶は中間バンド型太陽電池として応用が期待されている。太陽電池の高効率化を目指すには中間バンドを介した非発光再結合準位の検出・評価が重要である。今回は、窒素濃度1.4%と3.2%の試料を比較し、非発光再結合過程を評価したので報告する。