17:30 〜 17:45 [20p-C401-15] 深い不純物準位を導入したSiトンネルFETにおける室温でのスピンブロッケード 〇(PC)伴 芳祐1、加藤 公彦2、飯塚 将太2、村上 重則2、石橋 幸治1、森山 悟士3、森 貴洋2、大野 圭司1 (1.理研、2.産総研、3.東電院工)