09:45 〜 10:00 [23a-B204-4] Fe,CまたはMnを添加した半絶縁性GaN基板上に作製したAlGaN/GaN HEMTの室温における電気的特性評価 〇田中 大貴1、磯 憲司2,3、三浦 輝紀2,3、安藤 裕二1,3、須田 淳1,3 (1.名大院工、2.三菱ケミカル、3.名大未来研)