16:00 〜 18:00 [20p-P04-8] 低濃度Mgイオン注入後高温キャップアニールしたGaNにおける伝導帯付近界面準位のn-GaN MOS構造を利用した評価 〇畠山 優希1、赤澤 正道1 (1.北大量集センター)